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¼„›_Œ–¼‹…超声—电(sh¨´)化学抛光仿真与研抛实验研½I?/h1>

å‘表于:(x¨¬)2023-07-11 æ¥æºåQ?a href='http://9090.net.cn/news/129.html'>http://9090.net.cn/news/129.html

    æ‘˜è¦:¼„›_Œ–¼‹…ä¼ ¾lŸçš„å‡è–„抛光æ–ÒŽ(gu¨©)³•è¡¨é¢è´¨é‡è¾ƒå·®,去除效率很低。超声æ‡L—电(sh¨´)化学抛光是结åˆäº†ç”?sh¨´)化学抛光与­‘…声波辅助抛光的å¤åˆæŠ›å…‰æŠ€æœ? é€šè¿‡å®žéªŒ‹¹‹è¯•å…ähœ‰æ•ˆçŽ‡é«˜ï¼ŒæŠ›å…‰è¡¨é¢è´¨é‡å¥½çš„特点ã€?/span>


    å“ˆå°”滨工业大å­?nbsp;| å­™ä¸™é•?nbsp;


    ¼„›_Œ–¼‹…是½W¬ä¸‰ä»£åŠå¯ég½“ææ–™,å…ähœ‰ä¼˜è‰¯çš„电(sh¨´)性能与物ç†åŒ–学性能。åŒæ—?¼„›_Œ–¼‹…也是一¿U超¼‹¬ææ–?å…ähœ‰è„†æ€§å¤§ã€å¯¹¾~ºé™·æ•æ„Ÿã€æŠ—冲击性差ã€åŒ–学惰性æžå¼ºçš„特点,因此加工隑ֺ¦å¾ˆå¤§ã€‚ä¼ ¾lŸçš„¼‚¨å‰Šæ–ÒŽ(gu¨©)³•èŽ·å¾—的表é¢è´¨é‡è¾ƒå·?现行的几¿U精密抛光方法则去除率很低。超声æ‡L—电(sh¨´)化学抛光是结åˆäº†ç”?sh¨´)化学抛光与­‘…声波辅助抛光的å¤åˆæŠ›å…‰æŠ€æœ?在模具加工领域已å–得显著的研½I¶æˆæž?但目å‰å°šæœªæœ‰ž®†è¯¥æŠ€æœ¯åº”用于¼„›_Œ–¼‹…加工的研究。通过对碳化硅­‘…声波—电(sh¨´)化学抛光˜q‡ç¨‹çš„æµåœºã€ç”µ(sh¨´)åœÞZ»¿çœŸåˆ†æžä¸Žå®žéªŒç ”究,论文探烦了该æ–ÒŽ(gu¨©)³•å®žçŽ°¼„›_Œ–¼‹…高效去除的å¯è¡Œæ€?获得了ä¸åŒå·¥è‰ºå‚数对研抛效果的媄å“规å¾?对碳化硅高效­‘…精密加工具有é‡è¦çš„ç†è®ºå’ŒæŒ‡å¯¼æ„义。首先进行æµåœÞZ»¿çœŸåˆ†æž?针对ä¸åŒçš„研抛å˜é‡?利用Fluent软äšg建立了三¿Uä¸åŒçš„仿真模型;分别研究­‘…声振动ã€æµä½“膜厚度与抛光垫打孔å¯ÒŽ(gu¨©)µåœºçš„速度ã€åŽ‹åŠ›ä¸Žæ°”相分布½{‰ç‰¹å¾çš„å½±å“规律。结果显½C?­‘…声振动ä¼?x¨¬)ä‹É试äšg表é¢çš„æµä½“剧烈å˜åŒ?产生æžå¼ºçš„剪切æµä¸Žé«˜åŽ‹ä½œç”?‹¹ä½“膜厚度越ž®?研抛表é¢æ‰¿å—的压力越å¤?剪切‹¹è¶Šå¼?加工效果­‘Šå¥½;抛光垫上的å°å­”会(x¨¬)é˜È¢è¯•äšg表é¢çš„æµä½“æµåŠ?使æµåœºçš„压力出现å°é˜¶å˜åŒ–,有利用超声空化的产生。然åŽè¿›è¡Œç”µ(sh¨´)场分æž?利用Ansoft Maxwell软äšg,分别研究研磨液电(sh¨´)导率ã€æµä½“膜厚度与试件æ料对ç”?sh¨´)场分布的媄å“规律。结果表æ˜?ç”?sh¨´)压通过试äšgæ—¶åƈä¸å‡»½I¿è¯•ä»¶å†…éƒ?而是ç”׃¾§é¢å‘下传å¯?éšç€ç ”磨液电(sh¨´)导率å‡é«˜,试äšg表é¢çš„电(sh¨´)‹¹å¯†åº¦çº¿æ€§å¢žå¤§ä¸”效果显著;‹¹ä½“膜厚度的å˜åŒ–对试件表é¢çš„ç”?sh¨´)场分布影å“很å°?在一定范围内,‹¹ä½“膜厚度越ž®?表é¢ç”‰|µ­‘Šé«˜;在相åŒçš„仿真模型ä¸?¼„›_Œ–¼‹…试件在研抛表é¢çš„电(sh¨´)‹¹å¯†åº¦æ¯”é“ã€é“œ½{‰è‰¯å¯ég½“é™ä½Žäº†çº¦20%。最å?自主研制­‘…声波—电(sh¨´)化学研抛实验æœ?实现­‘…声辅助ã€ç”µ(sh¨´)压加载与实时数æ®é‡‡é›†ã€‚通过¾pÕdˆ—研磨与抛光实éª?获得了超声辅助ã€å¤–加电(sh¨´)压与研磨液组分对¼„›_Œ–¼‹…摩擦磨æŸæ€§èƒ½çš„媄å“规律。实验研½I¶è¡¨æ˜?试äšg对研抛盘的摩擦系æ•îC¸»è¦å–决于研磨液的æˆåˆ†,相åŒæ¡äšg下金刚石æ‚(zh¨¨n)¬æÕQ液å¯ä½¿SiC试äšg去除最å¿?å‘试件施加正ç”?sh¨´)压与超声辅助都能æ高æ料去除çŽ?但ä¸èƒ½æ”¹å˜æ‘©æ“¦ç³»æ•?­‘…声振动对研抛过½E‹çš„å½±å“大于ç”?sh¨´)场的作ç?通过­‘…声振动与外加电(sh¨´)场的辅助,åœ?0N压力ä¸?以金刚石æ‚(zh¨¨n)¬æÕQ液äØ“(f¨´)研抛æ¶?获得SiC试äšg的最高研¼‚¨åŽ»é™¤çŽ‡ä¸?5.7mg/h,åœ?0N压力ä¸?SiC试äšg的最高抛光去除率ä¸?.21 mg/hã€?/span>


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